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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NST45011MW6T1G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

内部编号

277-NST45011MW6T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:3300
50+¥1.1305
100+¥1.0925
250+¥1.0545
500+¥1.0165
1000+¥0.988
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:9000
1+¥1.541
25+¥1.3869
100+¥1.3869
500+¥1.3098
1000+¥1.2328
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:3255
1+¥2.9402
10+¥2.4684
100+¥1.5043
1000+¥1.1624
3000+¥0.9915
9000+¥0.9231
24000+¥0.8752
45000+¥0.8342
99000+¥0.8068
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NST45011MW6T1G产品详细规格

规格书 NST45011MW6T1G datasheet 规格书
NST45011MW6T1G datasheet 规格书
NST45011MW6T1G
文档 Copper Wire 08/Jun/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装 1
晶体管类型 2 NPN (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 380mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
包装材料 Cut Tape (CT)
包装 6SC-88
类型 NPN
引脚数 6
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 150@10uA@5V|200@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 380 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 380
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 SC-88
最大集电极发射极电压 45
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 2 NPN (Dual) Matched Pair
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大 380mW
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
其他名称 NST45011MW6T1GOSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 150 at 10 uA at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压 50 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 100 MHz
功率耗散 0.38 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-88
元件数 2
直流电流增益(最小值) 150
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 100 MHz
集电极电流(DC ) 0.1 A
直流电流增益 150
频率 - 跃迁 100MHz
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA, 100mA
晶体管类型 2 NPN (Dual) Matched Pair
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA, 5V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大值 380mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
长度 2.2mm
最大直流集电极电流 0.1 A
最高工作温度 +150 °C
安装类型 表面贴装
最低工作温度 -55 °C
高度 1mm
最大基极-发射极饱和电压 950 mV
最大功率耗散 380 W
宽度 1.35mm
封装类型 SOT-363
最大集电极-发射极电压 45 V
引脚数目 6
最小直流电流增益 0.9
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
晶体管配置 隔离式
最大发射极-基极电压 6 V
最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
每片芯片元件数目 2
最大集电极-基极电压 50 V
系列 NST45011MW6T1G
Pd - Power Dissipation 380 mW
身高 0.9 mm
宽度 1.25 mm
长度 2 mm
品牌 ON Semiconductor

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